[DRAM Capacitor] 종류와 동작원리 그리고 SDRAM,SDR, DDR

DRAM(Dynamic Random Access Memory)의 종류/구분

일반적인 DRAM에서 구조적으로 발전되어 RCAT, S-RCAT, S Fin, BCAT, VCAT 등과 같은 DRAM의 구조적인 종류도 다양하지만, Logic적인 측면에서 DRAM을 구분 할 수 있습니다.​

DRAM은 컴퓨터에서 주기억장치로 사용되면서 메모리 소자로 사용되기 때문에, CPU와 정보를 주고 받으면서 데이터의 입출력 동작을 수행합니다.​

이때 DRAM에 주어진 명령어가 받아들여지는 시점이 존재하고 이는 CLK(Clock)을 통해 결정되는데, CPU와 동일한 CLK을 공유하는 Synchronous-DRAM​과 그렇지 않은 Asynchronous-DRAM으로 구분 할 수 있습니다.

 

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SRAM(Synchronous DRAM)

SDRAM은 CPU와 같은 CLK을 공유하는 DRAM입니다.

위의 그림처럼 CPU와 동일한 Pulse의 주기에 따라서 Data가 처리되고 명령어가 수행됩니다.
DRAM Operation들은 외부적인 Clk이 아닌 CPU의 Clk에 맞추어 동작이 수행되고, SDR은 Clk의 한 Edge에서 동작이 수행됩니다.

Up Clk(=Leading Edge)에 동작이 수행 되는 경우

Down Clok(=Falling Edge)에서 동작이 수행 되는 2가지 경우가 존재합니다.

이를 SDR(Single Data Rate)이라고 부릅니다.

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DDR(Double Data Rate)은 UP Clk과 Down Clk을 모두 사용하는 방식입니다.
이전에 비해서 당연히 더 빠른 Speed로 동작을 수행할 수 있다는 장점이 존재하죠.

위의 그림은 DDR2로 이전의 DDR보다 2배 빠른 Freq.로 동작을 하는 것을 의미합니다. 당연히 속도는 2배로 증가하여 회로의 속도가 매우 빨라지죠. 발전이 될 수록 DDR3, DDR4, 그리고 DDR5로 발전이 되면서 더욱 초고속 동작 혹은 컴퓨팅이 가능해졌습니다.​

DDR2에서 부터 DDR3, DDR4를 거쳐가면서 더 낮은 Supply Voltage를 요구하여 회로에서 소비하는 전력이 줄어들었고 매우 빠른 Speed로 동작이 가능해진 것이죠.

DRAM의 목적인 신뢰성(Reliability) 전력(Power) Speed(속도) 가 매우 충족되는 발전인 것입니다.

 

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DRAM Capacitor의 발전, DRAM구조와 동작원리, High-k

 

DRAM Capacitor의 구조와 동작 원리(Read, Write) 그리고 발전 방향